縦型炉、横型炉、ランプアニール装置、オーブンなど、長年培った技術で半導体用熱処理装置を製造しています。
300mm、８″ウェーハ対応量産用装置をはじめ、6″以下の小口径に対応した装置もラインアップ。実験開発から量産までお客様のニーズに合わせた装置を各種取り揃えております。また、パワー半導体やメモリ・ロジック半導体、MEMS、面発光レーザー（VCSEL）、パッケージ等、幅広い分野に最適な熱処理装置を提供しております。
縦型炉
酸化・拡散・LPCVDなどの用途に使用でき、縦方向に複数のウェーハを配置できるバッチ式熱処理装置です。ボート回転機能なども採用、成膜プロセスでは面内均一性に優れています。
横型炉
酸化・拡散・LPCVDなどの用途に使用でき、横方向に複数のウェーハを配置したバッチ式熱処理装置です。最大4段まで積み上げ可能です。
ランプアニール
化合物やシリコンなど4～8"の各種ウェーハに対応。真空やN2、O2、H2、NH3などの雰囲気で各種アニールが可能。最適に配置されたハロゲンランプにより高い面内温度均一性、制御性を確保しています。
オーブン
ポリイミド、SOGキュアなどに使用される高温クリーンオーブン。N2ガスを導入することで酸素濃度を20ppm以下で使用可能。半導体デバイスメーカに豊富な実績があるクリーンオーブンです。
パワー半導体（SiC）
BEV車の駆動インバータに採用が進むSiCパワー半導体用熱処理装置。イオン注入後の活性化、ゲート絶縁膜形成用酸窒化、金属配線後のコンタクトアニール装置などを紹介。
パワー半導体（Si）
Si-IGBTで裏面研削後の数十μm厚ウェーハも搬送可能な装置をラインアップ。低温制御性に優れ、裏面電極アニール､ポリイミドキュア等に対応可能。
MEMS
スマートフォン用小型マイクやBAWフィルタ、各種センサ等のMEMS向け熱処理装置を紹介しています。
面発光レーザー（VCSEL）
レーザー発光部にあたる活性層近傍のAlAs層を水蒸気酸化させ狭窄構造を形成します。
低温域での抜群の温度制御性・再現性により、優れた酸化均一性を実現できる装置です。
低温域での抜群の温度制御性・再現性により、優れた酸化均一性を実現できる装置です。
パッケージ（FO-WLP/PLP、2.5D～3D IC）
300mmウェーハ対応クリーンオーブンでポリイミドキュアに豊富な実績あり。 Fan-Out WLP／PLPや、2.5G・3G IC用FC-BGA基板などに対応したキュア装置も紹介しています。
