電気自動車の駆動に欠かせないパワー半導体をはじめ、MEMS、VCSEL、パッケージなどの熱処理装置をご紹介。
SiCパワー半導体用活性化アニール、酸窒化アニール、コンタクトアニールや、Si、GaN、Ga2O3など様々な種類のパワー半導体熱処理に対応。メモリ、ロジック向けには、量産・実験向けに酸化、拡散、LP-CVD装置を提供しています。
また、面発光レーザー（VCSEL）の狭窄構造製造向け酸化炉や、ファンアウトWLP・PLPや2.5G・3G IC基板対応キュア装置、MEMSに欠かせない低応力絶縁膜形成装置など幅広い分野の装置を取り揃えています。
パワー半導体（SiC）
BEV車の駆動インバータに採用が進むSiCパワー半導体用熱処理装置。イオン注入後の活性化、ゲート絶縁膜形成用酸窒化、金属配線後のコンタクトアニール装置などを紹介。
パワー半導体（Si）
Si-IGBTで裏面研削後の数+μm厚ウェーハも搬送可能な装置をラインアップ。低温制御性に優れ、裏面電極アニール､ポリイミドキュア等に対応可能。
パワー半導体（GaN,Ga2O3他）
SiCに次に期待されているパワー半導体のGaNやGa2O3向けの装置を紹介。研究開発から量産まで対応可能です。
メモリ、ロジック半導体（Si）
300㎜から小口径の量産装置、実験装置ともに対応可能。酸化・拡散の他、各種LP-CVD装置など各種プロセスに対応しています。
通信用半導体
変調器やGaN HEMTなどの通信用半導体で採用される拡散炉やランプアニール装置を紹介しています。
MEMS
スマートフォン用小型マイクやBAWフィルタ、各種センサ等のMEMS向け熱処理装置を紹介しています。
面発光レーザー（VCSEL）
レーザー発光部にあたる活性層近傍のAlAs層を水蒸気酸化させ狭窄構造を形成します。
低温域での抜群の温度制御性・再現性により、優れた酸化膜の均一性を実現できる装置です。
低温域での抜群の温度制御性・再現性により、優れた酸化膜の均一性を実現できる装置です。
マスクブランクス
最先端のステッパーに採用されるマスクブランクス用アニール装置。抜群の温度制御性を備え、超クリーン環境下で使用可能な縦型炉や、コストを抑えたクリーンオーブンを紹介しています。
パッケージ（FO-WLP/PLP、2.5D～3D IC）
300mmウェーハ対応クリーンオーブンでポリイミドキュアに豊富な実績あり。
Fan-Out WLP／PLPや、2.5G・3G IC用FC-BGA基板などに対応したキュア装置も紹介しています。
Fan-Out WLP／PLPや、2.5G・3G IC用FC-BGA基板などに対応したキュア装置も紹介しています。
太陽電池
結晶系太陽電池のPN接合を形成する横型拡散炉やスクリーン印刷後の電極焼成炉、化合物系CIS（CIGS）太陽電池向けSe化炉などを提案しています。研究開発から量産まで豊富な出荷実績を誇ります。
